HBS7PBB6SP011C 是一款高性能的 MOSFET 功率模块,主要用于高效率功率转换和电机驱动应用。该模块采用先进的封装技术,具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能。其内部集成了多个 MOSFET 单元,并通过优化设计降低了寄生电感,从而提升了系统的整体效率和可靠性。
该器件适用于工业自动化、新能源汽车、光伏逆变器等领域,能够满足对功率密度和可靠性的严苛要求。
类型:MOSFET 功率模块
封装:D2PAK
Vds(最大漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):11mΩ
Id(连续漏极电流):70A
Qg(栅极电荷):80nC
结温范围:-55℃ 至 +175℃
HBS7PBB6SP011C 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
4. 内部集成温度保护功能,增强了模块的安全性和可靠性。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑空间内使用。
6. 优异的散热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
7. 抗雪崩能力和抗雷击能力较强,适应复杂工况环境。
HBS7PBB6SP011C 广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器与伺服驱动器。
2. 新能源汽车的电机控制器。
3. 光伏逆变器和储能系统。
4. 不间断电源 (UPS) 和通信电源。
5. 照明镇流器和家用电器中的高效功率转换。
6. 其他需要高效率、高可靠性的功率管理场景。
HBS7PBB6SP012C
HBS7PBB6SP010C
IRFP2907Z
FDP077N06L