时间：2025/8/2 7:01:39
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TPN11003NL 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等高效率电源管理系统中。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和优异的热性能，使其在高电流条件下依然能够稳定工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A（@Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（@Vgs=10V）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 175°C
TPN11003NL 具备多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 6.5mΩ，能够在高电流条件下显著降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，使得其在高频开关应用中表现出色，适用于现代高效开关电源（SMPS）设计。
此外，TPN11003NL 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。其最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流可达 50A，在适当的散热条件下可支持更高负载。栅源电压范围为 ±20V，兼容多种驱动电路设计，增强了其在不同应用场景中的适用性。
TPN11003NL 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电源分配系统。
STP55NF06, IRF1404, FDP55N06, IPW90R120C3
