HBC25ZH-NT7 时间：2025/8/7 9:57:54 阅读：41

HBC25ZH-NT7 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率应用。这款晶体管设计用于在高电流和高温条件下提供稳定的性能，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：17A（连续）
　　漏极峰值电流（IDM）：68A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

HBC25ZH-NT7 的核心优势在于其出色的导电性能和较低的导通损耗，这得益于其低 Rds(on) 特性。在高功率应用中，这种低导通电阻能够显著降低功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达 250V，适用于高压电源和工业控制设备。其坚固的结构设计和良好的散热性能，使得在高温度环境下也能稳定运行。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在瞬态过电压和过电流条件下保持可靠运行。此外，HBC25ZH-NT7 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路，适用于多种开关应用场合。
　　封装方面，TO-220AB 是一种广泛使用的功率封装形式，具备良好的热传导性能，方便安装在散热器上，从而进一步提高器件的热管理能力。这种封装形式也便于手工焊接和自动化装配，适合批量生产和工业应用。

应用

HBC25ZH-NT7 被广泛应用于各种电力电子设备中，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动器、工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电池管理系统和负载开关等。在电机控制应用中，该器件可作为高边或低边开关使用，提供快速响应和高效能控制。由于其高耐压和高电流能力，它也适合用于高压电源系统和工业电机驱动器中，作为主开关或功率调节元件。
　　此外，该 MOSFET 在汽车电子系统中也有广泛应用，如电动车辆的电池管理系统和车载充电器。其出色的热稳定性和可靠性，使其在高温度和高振动环境下也能保持稳定运行。