时间：2025/9/2 0:25:26
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HYB25DC12816DCE-5 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片采用先进的CMOS技术制造，具备高性能和低功耗的特点，适用于各种需要高速数据存取的电子设备。
类型：DRAM
容量：2MB（128M x 16位）
电源电压：3.3V
访问时间：5ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
HYB25DC12816DCE-5是一款高速DRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性，广泛应用于通信设备、工业控制和消费电子产品中。其低功耗设计有助于减少设备的整体能耗，延长电池寿命。
此外，该芯片支持高频率操作，提供快速的数据访问能力，满足高性能系统的需求。其TSOP封装形式有助于提高散热性能，并减少PCB板的空间占用。
该芯片的128M x 16位架构使其能够存储大量数据，并支持并行处理，适用于需要大容量内存和高速数据传输的应用场景。
HYB25DC12816DCE-5 常用于网络设备、工业计算机、嵌入式系统、图像处理设备以及需要高性能内存的消费类电子产品中。
HYB25DC12816DCE-6, CY7C1380D-5AXI, IDT71V416S48TG
