类型：光电晶体管输出光耦
　　电流传输比（CTR）：50%至600%（取决于具体版本）
　　正向电压（VF）：1.2V至1.4V（典型值1.3V）
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装类型：DIP-4（双列直插式封装）
　　绝缘耐压：5000VRMS（最小）
　　响应时间：约10μs（典型）
　　输出晶体管类型：NPN

PSP0B0EA41RQ5-H具备良好的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000VRMS的绝缘耐压，适用于需要高可靠性和高抗干扰能力的电路设计。其光耦内部采用高效率LED和光电晶体管组合，具有较高的电流传输比（CTR），确保信号在低功耗下也能稳定传输。此外，该器件的工作温度范围宽广，可在-55°C至+125°C之间正常工作，适用于严苛的工业环境。
　　该光耦具有良好的抗干扰能力，可以有效防止电磁干扰（EMI）对信号传输的影响，同时具备较高的线性度和响应速度，适合用于模拟与数字信号的隔离传输。其DIP-4封装形式便于PCB插件安装，并与标准的电路设计兼容，便于替换和维护。
　　此外，PSP0B0EA41RQ5-H在长期使用中表现出优异的稳定性与寿命，广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业变频器、电源监控、继电器驱动、医疗设备以及通信设备中，是现代电子系统中实现电气隔离的关键元件之一。

该光耦主要用于需要电气隔离的场合，例如工业控制系统、变频器、伺服驱动器、电源管理模块、继电器控制电路、测量仪器以及医疗电子设备等。在这些应用中，PSP0B0EA41RQ5-H可有效隔离高压侧与低压侧电路，防止高压干扰或损坏控制电路，提高系统的安全性和稳定性。此外，它也可用于信号隔离、电平转换、开关控制等场景，广泛应用于自动化生产线、智能家居控制系统、电机驱动电路等电子系统中。

TLP521-1、PC817、EL357、HCPL-2631