HA210N06 时间：2025/12/29 16:45:16 阅读：13

HA210N06是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路。HA210N06采用TO-220封装，具有良好的散热能力和机械稳定性，适合在工业和消费类电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

HA210N06具备多项优良特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用沟槽式MOSFET结构，使得电流密度更高，同时保持良好的热稳定性。
　　其次，HA210N06具有较高的电流承载能力和耐压能力，最大漏极电流可达100A，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V之间的栅极驱动，兼容多种驱动电路设计。
　　该器件还具备出色的热性能，TO-220封装提供良好的散热路径，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，HA210N06具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的可靠性。
　　最后，HA210N06符合RoHS环保标准，适用于需要无铅封装的环保电子设备。

应用

HA210N06广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、电源模块、服务器电源、工业自动化设备以及电动车充电系统等。
　　在电源管理领域，HA210N06用于构建高效能的功率转换电路，能够显著降低导通损耗并提升整体系统效率。在电机控制应用中，其高电流能力和快速开关特性可实现更精确的速度控制和更高的响应速度。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，HA210N06也常用于车载电子系统、工业电源和可再生能源系统中，如太阳能逆变器和储能系统等。