H9TQ32A6BTMCUR-KUM 是一款由SK Hynix(海力士)公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动DRAM类别,主要用于高性能便携式设备,如智能手机和平板电脑。H9TQ32A6BTMCUR-KUM 采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,具备低功耗特性,适用于对功耗和空间都有严格要求的移动设备设计。该DRAM芯片的容量为32GB,工作频率较高,能够提供快速的数据读写速度。
容量:32GB
类型:LPDDR4x SDRAM
封装:FBGA
工作电压:1.1V
接口类型:并行
工作温度:-40°C ~ 85°C
H9TQ32A6BTMCUR-KUM 是基于LPDDR4x技术的DRAM芯片,具备低功耗和高性能的双重优势。LPDDR4x技术通过降低工作电压至1.1V,显著减少了功耗,从而延长了移动设备的电池寿命。此外,该芯片支持高速数据传输,具有较大的数据带宽,可以满足高性能处理器和多任务处理的需求。
H9TQ32A6BTMCUR-KUM 采用先进的封装技术,确保了在小型化设备中的安装灵活性和高可靠性。其工作温度范围较宽(-40°C ~ 85°C),适合各种复杂环境下的应用。
该芯片还具备良好的兼容性,能够与多种主流移动平台和处理器配合使用,简化了系统设计并提高了整体性能。
H9TQ32A6BTMCUR-KUM 主要应用于高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。由于其高容量和低功耗特性,该芯片也非常适合用于需要高性能内存支持的嵌入式系统和智能穿戴设备。此外,它还可用于需要高速数据处理和存储的工业控制和车载电子系统。
H9TQ32A8BTMCUR-KUM
H9TQ32A8BZMCUR-KUM