时间：2025/12/28 15:17:14
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KTA1001-Y-RTF/H 是一款由Koryo（高荣电子）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换应用设计，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。KTA1001采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和电气性能，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：200W（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KTA1001-Y-RTF/H 具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频率下高效运行。其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提供更高的电流承载能力和更低的开关损耗。此外，KTA1001具备良好的热稳定性，其TO-252封装能够有效散热，确保在高功率应用中的可靠性。该器件还具备高雪崩能量耐受能力，适合在复杂电源系统中使用。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与各种控制IC配合使用。
KTA1001-Y-RTF/H 广泛应用于各种电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电器、电机驱动器和工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
IRF1405, STP80NF10, FDP80N10
