H5MS2622JFR-J3MR 是由SK hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于消费类电子产品、服务器、网络设备和嵌入式系统中。该型号属于移动DRAM类别,支持低功耗运行,适用于需要高效能与低功耗并存的便携式设备,如智能手机、平板电脑等。这款DRAM芯片采用BGA(球栅阵列)封装技术,具备良好的电气性能和热管理能力。
类型:DRAM
子类型:Mobile DRAM
容量:2Gb
电压:1.35V - 1.5V
频率:800MHz - 1600MHz
封装:BGA
数据宽度:x16
工作温度:-40°C 至 +85°C
H5MS2622JFR-J3MR 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片,特别适用于移动计算设备和嵌入式系统。该芯片支持多种频率模式,最高可达1600MHz,提供快速的数据访问速度,能够满足高性能计算和图形处理的需求。其电压范围为1.35V至1.5V,支持低功耗模式,有助于延长设备的电池续航时间。
这款DRAM采用x16数据宽度配置,具有较大的数据吞吐能力,适用于内存需求较高的应用环境。此外,其BGA封装技术确保了良好的散热性能和稳定性,能够在复杂的工作环境下保持可靠的运行。H5MS2622JFR-J3MR 还支持自动刷新功能,确保数据在断电前能够被安全保存,提高了系统的稳定性和可靠性。
H5MS2622JFR-J3MR 主要应用于需要高性能与低功耗结合的设备中,如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等移动设备。它也常用于嵌入式系统、工业控制设备、车载娱乐系统和智能穿戴设备等场景,为这些设备提供快速的数据访问能力和稳定的性能表现。此外,该芯片还可用于服务器、网络交换设备和路由器中,作为高速缓存或主存储器使用,提升整体系统的响应速度和运行效率。由于其宽温特性和高可靠性,H5MS2622JFR-J3MR 也适用于一些工业和汽车电子领域,如工业自动化控制系统、安防监控设备、车载导航系统等。
H5MS2622EFR-J3MR, H5MS2622JBR-J3MR