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H9TQ17ABJTBCUR 发布时间 时间:2025/9/1 15:26:41 查看 阅读:65

H9TQ17ABJTBCUR 是由SK Hynix生产的一款高密度、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片主要用于高性能计算设备、服务器、网络设备和消费类电子产品中,提供大容量的数据存储和快速的数据存取能力。

参数

类型:DRAM
  容量:2GB
  封装:128M x 16
  电压:1.35V(低电压版)
  时钟频率:1600MHz
  接口:DDR3 SDRAM
  封装类型:FBGA
  工作温度:-40°C ~ +85°C

特性

H9TQ17ABJTBCUR 是一款基于DDR3技术的DRAM芯片,具有高密度和低功耗的特点,适合用于需要高性能内存的设备。该芯片的低电压设计(1.35V)有助于降低功耗和发热,提高系统的能效比。
  其1600MHz的时钟频率支持高速数据传输,适用于需要快速处理大量数据的应用场景,如图形处理、视频流媒体和复杂计算任务。此外,该芯片采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有良好的电气性能和散热能力,确保在高负载下的稳定运行。
  H9TQ17ABJTBCUR 的工作温度范围较宽(-40°C 至 +85°C),适用于各种环境条件,包括工业级和消费级应用。该芯片还具备良好的兼容性,能够与多种主板和处理器平台配合使用。

应用

H9TQ17ABJTBCUR 通常用于高性能计算系统、服务器、网络设备、高端台式机和笔记本电脑等设备。由于其高速和低功耗的特性,它也适合用于嵌入式系统和工业控制设备,为这些系统提供可靠和高效的内存支持。
  在服务器和数据中心应用中,该芯片能够帮助提升系统的内存容量和处理能力,从而提高整体性能和响应速度。在网络设备中,它可以支持高速数据转发和缓存处理,确保数据传输的稳定性和高效性。此外,在消费类电子产品中,如游戏主机和高性能笔记本电脑,H9TQ17ABJTBCUR 可以为用户提供更流畅的操作体验。

替代型号

H9TQ17ABJTBCUR-KH, H9TQ17ABJTBCUR-RB

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