您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805A470KBABR31G

GA0805A470KBABR31G 发布时间 时间:2025/6/17 1:49:20 查看 阅读:5

GA0805A470KBABR31G 是一款表面贴装型的多层陶瓷电容器 (MLCC),采用 0805 尺寸封装,适用于高频和高稳定性电路设计。该型号属于 X7R 温度特性系列,具有较高的温度稳定性和低阻抗特性,广泛应用于电源滤波、信号耦合及去耦等场景。
  其核心特点是具备出色的电气性能和机械强度,适合在紧凑型电子设备中使用,同时符合无铅环保标准,支持回流焊工艺。

参数

型号:GA0805A470KBABR31G
  封装:0805
  容量:4.7nF
  额定电压:50V
  温度特性:X7R
  公差:±10%
  工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
  直流偏置特性:较低
  ESR(等效串联电阻):小于 0.05Ω
  尺寸(长×宽×高):2.0mm × 1.25mm × t(依具体产品而定)

特性

这款电容器采用了先进的多层陶瓷技术制造,拥有以下特点:
  1. 高可靠性:能够在恶劣环境下长期运行,满足工业级和消费级应用需求。
  2. 温度稳定性:X7R 材料确保了其在 -55℃ 至 +125℃ 范围内保持稳定的容量输出。
  3. 小型化设计:0805 封装使得该元件非常适合于空间受限的设计环境。
  4. 环保合规性:符合 RoHS 标准,无铅且对环境友好。
  5. 宽频率响应:由于其低 ESR 和 ESL(等效串联电感),能够有效抑制高频噪声。
  6. 成本效益:相较于其他高性能电容,性价比更高,特别适合批量生产。

应用

GA0805A470KBABR31G 主要用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源滤波和信号去耦。
  2. 工业控制设备中的高频旁路。
  3. 通信系统中的射频前端匹配网络。
  4. 数据处理模块中的时钟信号缓冲与保护。
  5. 音频放大器和其他模拟电路中的耦合电容。
  此外,它还适用于汽车电子、医疗设备以及其他需要小型化和高可靠性的应用场景。

替代型号

GA0805A470JBABR31G
  GA1206A470KBABR31G
  Kemet C0805C470K4RACTU
  Taiyo Yuden JM125BJ471KT

GA0805A470KBABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容47 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-