时间：2025/12/26 8:29:54
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MMSZ5235B是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装齐纳二极管，属于MMSZ52xx系列。该系列二极管采用SOD-123封装，专为需要紧凑型稳压解决方案的低压电子电路设计。MMSZ5235B的标称齐纳电压为6.2V，典型工作电流为20mA，适用于多种精密稳压和参考电压应用。该器件通过在反向击穿区稳定电压，实现对输入电压波动的有效抑制，从而为敏感电路提供稳定的电压基准。由于其小尺寸、高精度和良好的温度稳定性，MMSZ5235B广泛应用于便携式设备、电源管理模块、模拟信号调理电路以及嵌入式系统中。
该齐纳二极管具有低动态阻抗特性，能够在负载变化时维持输出电压的稳定性。其SOD-123封装支持自动化贴片工艺，适合高密度PCB布局，并具备良好的散热性能。此外，MMSZ5235B符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。该器件经过严格的生产控制和测试，确保批次间的一致性和长期可靠性，是工业级和消费类电子产品的理想选择之一。
型号：MMSZ5235B
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-123
标称齐纳电压：6.2V
测试电流：20mA
最大齐纳阻抗：10Ω
功率耗散：500mW
工作温度范围：-65°C ~ +175°C
存储温度范围：-65°C ~ +175°C
温度系数：+2.5 mV/°C
MMSZ5235B的最大特点之一是其在6.2V附近具有极低的温度系数，约为+2.5 mV/°C，这使得它在宽温度范围内表现出优异的电压稳定性。这一特性源于硅P-N结在该电压值附近的物理特性平衡点，在此电压下，齐纳效应与雪崩击穿机制共同作用，导致温度漂移最小。因此，MMSZ5235B常被用作精密电压参考源，尤其适用于模拟电路中的偏置设置、ADC/DAC参考电压或比较器阈值设定。
该器件具有低动态阻抗（典型值为10Ω），意味着即使负载电流发生微小变化，输出电压也能保持高度稳定。这种特性对于需要高稳定性的电源监控电路或反馈控制系统至关重要。同时，500mW的功率耗散能力允许其在有限散热条件下持续工作于20mA的标准测试电流下，满足大多数低功耗应用场景的需求。
SOD-123封装不仅体积小巧（约2.7mm × 1.8mm × 1.1mm），而且具备良好的热传导性能，有助于将工作时产生的热量有效传递至PCB，提升整体可靠性。该封装还支持高速自动贴装，适用于大规模自动化生产流程。此外，器件采用无铅镀层和绿色塑封材料，符合IEC 61770-1环保标准，适用于出口型电子产品和工业认证项目。
MMSZ5235B在制造过程中实施严格的筛选和测试流程，确保电压容差控制在±5%以内，提升了电路设计的可预测性。其反向漏电流极低（通常小于1μA @ VR=1V），在未达到击穿电压前几乎不导通，从而避免不必要的功耗。综合这些特性，MMSZ5235B成为许多高性能、小型化电子系统中不可或缺的基础元件。
MMSZ5235B广泛用于需要稳定电压参考的各种电子系统中。在电源管理领域，它常作为LDO稳压器的反馈网络基准、过压保护电路的检测节点或DC-DC转换器的输出电压调节元件。由于其6.2V的稳定击穿电压，非常适合用于为微控制器、传感器模块或通信接口提供精确的参考电平。
在模拟电路设计中，该器件可用于构建精密比较器电路，设定固定的触发阈值；也可用于运算放大器的偏置网络中，以提高共模抑制比和温度稳定性。此外，在电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端中，MMSZ5235B因其小尺寸和低功耗特性而被广泛采用，用于内部电压监测和状态指示功能。
工业控制系统中，该齐纳二极管可用于PLC输入模块的信号钳位，防止瞬态高压损坏后续逻辑电路。在汽车电子中，尽管非车规级版本不能直接用于关键系统，但可用于辅助电源或诊断接口的稳压设计。测试测量仪器也常使用此类高稳定性齐纳管作为校准基准点，确保读数准确性。总之，凡是在空间受限且要求电压稳定的场合，MMSZ5235B都是一种可靠的选择。
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"MMBZ5235B",
"PMBZ5235B",
"SZMM5Z6V2",
"ZMM6V2"
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