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H9TQ17ABJTAC 发布时间 时间:2025/9/1 20:01:36 查看 阅读:9

H9TQ17ABJTAC是一款由SK Hynix(海力士)生产的高密度、低功耗的NAND闪存芯片,主要用于需要大容量数据存储的便携式电子设备。这款芯片采用先进的制造工艺,提供稳定可靠的存储性能,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他需要非易失性存储解决方案的应用场景。

参数

容量:128GB
  封装类型:BGA
  接口类型:ONFI 4.0
  电压范围:2.7V - 3.6V
  读取速度:高达800MB/s
  写入速度:高达2000 cycles(耐久性)
  工作温度范围:-25°C至+85°C

特性

H9TQ17ABJTAC是一款高性能的NAND闪存芯片,具有128GB的大容量,能够满足现代电子设备对高密度存储的需求。该芯片采用ONFI 4.0标准接口,支持高达800MB/s的读取速度,确保快速的数据访问。此外,H9TQ17ABJTAC具有出色的耐久性,支持高达2000次的编程/擦除周期,适用于频繁写入和读取的应用场景。
  该芯片设计为低功耗操作,有助于延长电池供电设备的使用时间。其工作温度范围为-25°C至+85°C,能够在各种环境条件下稳定运行。H9TQ17ABJTAC采用BGA封装,节省空间,适合高密度PCB布局。此外,该芯片还具备错误校正和磨损均衡等特性,进一步提高数据存储的可靠性和寿命。
  作为一款工业级存储芯片,H9TQ17ABJTAC广泛用于需要高性能和高可靠性的应用,如移动设备、嵌入式系统、工业控制设备等。其先进的制造工艺和优化的设计使其在性能、功耗和耐用性方面表现出色。

应用

H9TQ17ABJTAC主要应用于智能手机、平板电脑、嵌入式存储系统、车载信息娱乐系统、工业控制设备以及其他需要大容量非易失性存储的电子设备。

替代型号

H9TQ17ABJTAC的替代型号包括H9TQ17ABJTMR、H9TQ17ABJUMC以及来自其他厂商的兼容ONFI 4.0标准的128GB NAND闪存芯片。

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