H9TP17ABLDMCNR-KGM 是一款由 SK Hynix 生产的 NAND 闪存芯片。该芯片主要用于数据存储应用,具有高密度和高性能的特点,适用于各种消费类电子产品以及嵌入式系统。
这款 NAND 闪存采用先进的制程技术制造,提供大容量存储空间的同时保持较低的功耗。其主要用途包括固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、内存卡等设备中的数据存储解决方案。
容量:128Gb
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:TSOP
页大小:16KB
区块大小:512KB
通道数:8
数据传输速率:400 MT/s
H9TP17ABLDMCNR-KGM 提供了高效的存储性能和可靠性。它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,允许更快的数据传输速度。同时,该芯片还具备以下特点:
1. 高密度存储能力,单颗芯片即可实现大容量数据存储。
2. 较低的工作电压有助于减少整体系统的能耗。
3. 内置错误纠正码(ECC)功能以提高数据完整性。
4. 支持多种擦写周期,确保在不同应用场景下的耐用性。
5. 兼容性强,能够与多种主控芯片无缝配合使用。
H9TP17ABLDMCNR-KGM 广泛应用于需要高效数据存储的各种领域,例如:
1. 固态硬盘(SSD),作为主要存储介质提供快速读写性能。
2. USB 闪存盘,用于便携式数据存储。
3. 内存卡,如 microSD 卡或 SD 卡,满足移动设备对大容量存储的需求。
4. 嵌入式系统,为工业控制、物联网设备等提供可靠的存储解决方案。
5. 消费类电子产品,如平板电脑、智能电视等。
H9TP17ABGDMCNR-KGM
H9TP17ABLDMCPR-KGM
H9TQ17ABGDMCNR-KGM