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H9TKNNNBPDMPQR-NGHR 发布时间 时间:2025/9/1 20:48:11 查看 阅读:20

H9TKNNNBPDMPQR-NGHR 是由SK海力士(SK Hynix)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高端计算、服务器和移动设备领域。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备大容量、低功耗和高速传输的特点,适合对内存性能要求较高的应用环境。

参数

容量:8GB
  类型:LPDDR4x SDRAM
  封装:BGA(球栅阵列封装)
  接口:x32
  频率:4266Mbps
  电压:1.1V
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H9TKNNNBPDMPQR-NGHR 采用先进的LPDDR4x技术,具有高速数据传输能力和低功耗特性。该芯片支持多种节能模式,可在不同工作负载下优化功耗,延长设备电池寿命。此外,它具备高集成度和稳定性,适用于多任务处理和高性能计算场景,如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和服务器内存模块。其先进的封装技术也提高了可靠性和散热性能,确保在高负载下仍能保持稳定运行。

应用

H9TKNNNBPDMPQR-NGHR 广泛应用于高性能计算设备、智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备以及服务器内存模块。由于其高速、低功耗和高稳定性,特别适合用于需要大量内存和快速数据处理的场景,如图形处理、人工智能计算、大数据分析等。

替代型号

H9HKNNNBJUMDAR-NGHC, H9HPNNNCCJMDAR-NEHC, H9TQNNNBJUMDAR-NGHC

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