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ACPM-2001-TR1G 发布时间 时间:2025/9/15 14:47:38 查看 阅读:4

ACPM-2001-TR1G 是一款由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 推出的 GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率、高频率的功率放大应用设计。该器件基于先进的 GaN-on-SiC 技术,具有出色的热性能和高频特性,适用于无线基础设施、基站放大器、雷达系统和工业设备等应用。ACPM-2001-TR1G 提供了紧凑的封装形式,便于在高频电路中实现高功率密度和高可靠性。

参数

工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
  输出功率:典型值 10 W(连续波)
  漏极电压:最大 30 V
  漏极电流:最大 1.5 A
  增益:典型值 12 dB
  效率:典型值 65%
  输入驻波比(VSWR):典型值 < 2.0:1
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:表面贴装,SOT-89

特性

ACPM-2001-TR1G 具有优异的高频性能和高功率密度,使其成为 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段应用的理想选择。该器件基于 GaN-on-SiC 技术,提供了出色的热导性和高击穿电压能力,能够在高温环境下稳定运行。其高效率特性可显著降低功耗,提升系统能效,适用于对功耗敏感的无线通信设备。此外,ACPM-2001-TR1G 的封装设计优化了散热性能,确保在高功率操作下的长期可靠性。该器件还具有良好的线性度和输入匹配特性,有助于简化外围电路设计并提高整体系统性能。
  在实际应用中,ACPM-2001-TR1G 能够提供稳定的输出功率和高增益表现,适用于多种通信和射频放大场景。其坚固的结构和先进的制造工艺使其具备抗干扰能力强、工作寿命长的优点。该器件支持多种偏置配置,便于工程师根据具体需求进行优化调整。此外,其封装形式支持自动化装配,有助于提升生产效率并降低制造成本。

应用

ACPM-2001-TR1G 主要用于无线通信基础设施,如 4G/5G 基站、微波通信系统和小型蜂窝网络设备中的射频功率放大。它也可用于雷达系统、测试仪器、工业加热设备和广播发射器等高频高功率应用。由于其高可靠性和良好的热性能,该器件非常适合用于需要长时间稳定运行的工业和军事级设备中。此外,在无线回传和点对点通信系统中,ACPM-2001-TR1G 也能提供卓越的信号放大性能,确保数据传输的高效与稳定。

替代型号

ACPM-2010-TR1G, ACPM-2002-TR1G, CGH40010F

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