2SJ49参数：
　　类型：P沟道JFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　2SK134参数：
　　类型：N沟道JFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：25V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

2SJ49/2SK134晶体管具有以下主要特性：
　　1. 高输入阻抗：由于FET的栅极与沟道之间的绝缘特性，这对晶体管具有非常高的输入阻抗，使其适用于高精度信号放大和传感器接口电路。
　　2. 低噪声特性：这对晶体管在音频频率范围内表现出极低的噪声性能，因此广泛用于前置放大器和高保真音频设备。
　　3. 优异的线性度：2SJ49和2SK134具有良好的跨导线性特性，适用于需要高线性度的模拟电路，如运算放大器输入级。
　　4. 高频响应：这对晶体管具备较宽的频率响应范围，适合用于高频模拟信号处理和射频前端应用。
　　5. 热稳定性好：其结构设计和制造工艺确保了良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作性能。
　　6. 可互换性强：2SJ49和2SK134通常作为配对晶体管使用，其参数一致性好，适合用于差分放大电路和对称性要求较高的电路设计。

2SJ49和2SK134广泛应用于以下电子电路和系统中：
　　1. 音频放大器：作为前置放大器或差分输入级，用于高保真音响系统、耳机放大器和麦克风前置放大器。
　　2. 模拟信号处理：用于高精度模拟电路，如运算放大器、电压跟随器和信号缓冲器。
　　3. 传感器接口：由于其高输入阻抗和低噪声特性，适合用于传感器信号放大和调理电路。
　　4. 开关电路：用于低功耗开关应用，如逻辑控制电路和电源管理电路。
　　5. 射频（RF）前端：用于低噪声放大器（LNA）和射频接收电路的前端放大级。
　　6. 教育和实验电路：常用于电子工程教学实验和DIY电子制作项目中，帮助学生和电子爱好者理解FET的工作原理和应用方法。

J201（2SK134的替代型号）、J202（2SJ49的替代型号）、2N4391（2SK134的替代型号）、2N4392（2SJ49的替代型号）