时间：2025/9/2 5:09:05
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H9TKNNNBPDARAR-NGM 是一款由SK海力士（SK Hynix）推出的高性能低功耗DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR5（低功耗双倍数据速率第5代）内存技术。该芯片专为移动设备和高带宽需求的应用设计，具备高速数据传输能力与能效优势，适用于智能手机、平板电脑、高性能计算设备等。
类型：LPDDR5 SDRAM
容量：16Gb（Gigabit）
组织结构：x16
电压：VDDQ = 1.05V / VDD = 1.05V
时钟频率：最高可达6400Mbps（兆比特每秒）
封装形式：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
封装尺寸：134-ball
工作温度：-40°C至+85°C
H9TKNNNBPDARAR-NGM 采用先进的LPDDR5技术，提供显著优于LPDDR4X的性能和能效。其最高数据传输速率达到6400Mbps，使得数据处理能力大幅提升，适用于需要高带宽的应用场景，如4K视频流、多任务处理、高性能游戏等。该芯片支持多种节能模式，包括深度睡眠模式、预充电节能模式等，有助于降低功耗并延长设备电池寿命。
此外，H9TKNNNBPDARAR-NGM 具备出色的信号完整性和稳定性，采用了改进的命令/地址总线设计和写入校准机制，确保在高频操作下的数据可靠性。其封装形式为134-ball FBGA，适用于紧凑型移动设备的高密度PCB布局。
该DRAM芯片还支持多种突发模式（Burst Mode）和数据掩码（Data Mask）功能，提升数据传输的灵活性和精确控制。其内部温度传感器支持自动刷新率调整，以适应不同的工作环境，确保数据完整性。
H9TKNNNBPDARAR-NGM 主要用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、高性能嵌入式系统以及需要大容量高速内存的计算设备。其低功耗特性和高性能数据传输能力使其成为5G通信设备、AI加速模块和车载信息娱乐系统的理想选择。
H9HKNNNCAVARXR-NGM, H9HKNNNCEVARXR-NGM, H9HKNNNCRVARXR-NGM
