时间：2025/8/2 8:17:26
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DMG1026UV-7 是一款由 Diodes 公司推出的双通道、N沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）集成电路，采用先进的沟槽技术制造，具备高性能和低导通电阻的特点。该器件广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。其封装形式为 8-Pin TSSOP，适合在空间受限的电路板设计中使用。
类型：MOSFET（N沟道）
通道数：2
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：120mΩ（最大值，@VGS=10V）
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSSOP-8
DMG1026UV-7 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件内置两个独立的 N沟道 MOSFET 通道，适用于多种功率开关应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流和电机控制。其高栅极击穿电压（20V）增强了器件在高压环境下的稳定性。此外，该 IC 采用 TSSOP-8 小型封装，节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。
DMG1026UV-7 的热性能优化设计使其在高负载条件下仍能保持良好的散热能力，确保长期工作的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，兼容多种控制电路（如微控制器和 PWM 控制器）。此外，该器件具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该 IC 的封装设计符合 RoHS 环保标准，无铅无卤素，适用于绿色电子制造。其内部结构优化，降低了寄生电感和电容，提高了高频性能和抗干扰能力，使其在复杂电磁环境中依然稳定工作。
DMG1026UV-7 主要用于需要双路功率开关控制的场合，常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、电机驱动电路、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流承载能力，使其在便携式设备、工业自动化控制系统、通信设备和汽车电子中都有广泛应用。
在同步整流器中，DMG1026UV-7 可以作为高低侧开关，提高转换效率并降低热量产生。在电机控制电路中，两个通道可以分别控制电机的正反转或用于双电机驱动。在负载开关应用中，它能够有效隔离电源与负载，实现快速开关控制并防止过流损坏。
此外，该器件也适用于 LED 背光驱动、电源分配系统、电池充电电路等需要高可靠性和高效能功率管理的场合。
AO4406A, FDS6675, SiSS128DN, BSC050N03LS
