时间：2025/9/1 12:06:16
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H9TKNNN8KDMR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于高密度、高性能存储器产品系列，专为需要高速数据访问和大容量存储的应用而设计。这款DRAM芯片通常应用于计算机系统、服务器、嵌入式设备以及各种需要高速数据处理能力的电子设备中。
类型：DRAM
容量：8GB
封装：128M x 8
电压：1.2V
频率：1600MHz
时序：CL11
接口：DDR4
封装类型：TSOP
工作温度：-40°C 至 +85°C
H9TKNNN8KDMR 是一款DDR4 SDRAM芯片，具有8GB的存储容量，适用于需要高性能和高密度存储的系统设计。该芯片的工作电压为1.2V，相比之前的DDR3标准，功耗更低，能效更高，有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。其频率支持高达1600MHz，并且具有CL11的时序，能够在数据访问过程中提供稳定的性能表现。
采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，使得该芯片在PCB布局中占用空间较小，同时具备良好的散热性能和电气特性。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种工业和商业环境下的稳定运行，适用于苛刻条件下的电子设备应用。
作为一款高可靠性存储器解决方案，H9TKNNN8KDMR 也支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据传输过程中检测并纠正单比特错误，提高系统的数据完整性和稳定性。这使得该芯片特别适用于对数据可靠性要求较高的服务器和工作站系统。
H9TKNNN8KDMR 主要应用于需要高速存储和高稳定性的设备，例如个人计算机、笔记本电脑、服务器、工作站、工业控制系统、网络设备、通信设备以及各类嵌入式系统。由于其低功耗和高可靠性特性，该芯片也非常适合用于移动设备和边缘计算平台中的内存扩展模块。
H9TCNNN8KDMR, H9TNNN8KDMR, H9TPNNN8KDMR
