时间：2025/9/7 4:35:38
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HM514260CLJ-7 是由Hynix（现代半导体）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于高速DRAM系列，适用于需要快速数据访问的电子设备。它采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于计算机系统、工业控制设备以及通信设备中。
容量：256K x 16位
电压：5V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：0°C至70°C
最大访问时间：7ns
刷新方式：自动刷新/隐藏刷新
HM514260CLJ-7 是一款高速、低功耗的DRAM芯片，具备出色的稳定性和可靠性。
其256K x 16位的存储结构使其适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。
该芯片支持自动刷新和隐藏刷新功能，有助于保持数据完整性并减少系统功耗。
采用TSOP封装形式，不仅减小了PCB占用空间，还提升了高频操作的稳定性。
工作电压为5V，符合标准逻辑电平接口，便于与多种控制器和系统平台集成。
7ns的访问时间确保了快速的数据读写速度，适用于高性能计算和通信设备。
此外，HM514260CLJ-7 的设计确保了在各种工业环境下均能稳定运行，包括高温和高湿度环境。
HM514260CLJ-7 主要用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、图像处理设备以及个人计算机等需要高速数据缓存的场景。
其高速性和稳定性也使其适用于视频处理、图形加速器和数据采集系统等高性能应用。
在通信领域，它可用于路由器、交换机和基站设备，以提供高效的数据缓冲能力。
在工业自动化中，该芯片可作为高速缓存使用，以提高系统响应速度和数据处理能力。
此外，该芯片还可用于测试设备和测量仪器，以满足高精度和高速度数据采集和处理的需求。
TC514260AJ-70, KM514260CLJ-7
