时间：2025/9/2 10:23:16
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H9TKNNN8JDARHR-NGM是一种嵌入式存储解决方案，属于NAND闪存芯片的一种，广泛应用于需要大容量存储的电子设备中。该芯片由知名半导体制造商生产，具有高密度、低功耗和高速读写的特点，适用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）以及其他便携式设备。该芯片采用先进的封装技术，确保了在复杂环境下的稳定性和可靠性。
存储容量：8GB
存储类型：NAND Flash
接口类型：ONFI 3.0
工作电压：1.8V / 3.3V
读取速度：高达50MB/s
写入速度：高达20MB/s
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
擦写周期：10,000次以上
H9TKNNN8JDARHR-NGM NAND闪存芯片具有多项显著的技术特性。首先，它采用ONFI 3.0接口标准，确保了与主机系统的高速数据传输兼容性。ONFI（Open NAND Flash Interface）标准的使用，使得该芯片能够与多种控制器和系统平台无缝对接，提升了设计的灵活性。
其次，该芯片支持双电压操作（1.8V和3.3V），可以根据系统需求选择最合适的电源配置，从而优化功耗并延长设备的电池寿命。在低功耗模式下，芯片能够自动进入节能状态，进一步降低功耗。
此外，H9TKNNN8JDARHR-NGM具备出色的耐用性，支持超过10,000次的擦写周期，适用于频繁读写的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行，包括高温和低温极端情况。
该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型设备的设计。TSOP封装还增强了芯片的机械强度，使其在运输和使用过程中更耐冲击和振动。
最后，该芯片内置错误校正码（ECC）功能，能够在数据读取过程中自动检测和纠正错误，确保数据的完整性和可靠性。这对于需要高数据准确性的应用（如操作系统存储、固件存储等）尤为重要。
H9TKNNN8JDARHR-NGM NAND闪存芯片主要应用于需要大容量非易失性存储的设备。其典型应用包括智能手机和平板电脑的内部存储扩展、固态硬盘（SSD）的存储单元、数码相机和摄像机的图像存储介质等。此外，该芯片还可用于嵌入式系统、工业控制设备和车载电子系统，为这些设备提供稳定可靠的存储解决方案。在消费电子领域，该芯片常用于智能电视、机顶盒和网络设备中，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。由于其高可靠性和宽温工作范围，也适用于工业和汽车电子领域中的数据记录和存储任务。
H9TP32A8JDACPR-NGC
H9TQ17ABJTACUR-N2G
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