RU20P4C6 时间：2025/8/5 4:08:07 阅读：33

RU20P4C6是一款由Renesas Electronics公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高效的开关性能。RU20P4C6通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等应用。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　最大漏极电流：20A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷：35nC
　　最大功耗：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　漏极-源极击穿电压：60V
　　栅极-源极电压范围：±20V

特性

RU20P4C6具备优异的导通和开关性能，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件采用高性能的沟槽式技术，确保在高频开关应用中具有稳定的性能。此外，RU20P4C6具备良好的热稳定性和高耐久性，能够在高功率和高温环境下长时间运行。其TO-220封装形式有助于良好的散热，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定。该MOSFET还具备较低的栅极电荷，减少了开关损耗，使其适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　此外，RU20P4C6具有较强的抗干扰能力，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。其栅极保护设计可防止过电压损坏，提高系统的可靠性。该器件的高耐用性和稳定的电气特性使其成为电源管理、电动工具、工业自动化设备以及新能源系统中的理想选择。

应用

RU20P4C6广泛应用于各类高功率和高频电子系统中。例如，在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关中作为主功率开关使用。它也常用于电机控制、电源管理模块、UPS不间断电源系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动车充电系统等新能源应用领域。