时间：2025/8/24 15:58:42
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FQU2P25 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：12A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（典型值）
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FQU2P25 具备多项优良特性，适用于多种功率电子应用。其低导通电阻降低了导通损耗，提高了系统效率；高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行；此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下工作而不会显著降低性能。TO-220 封装形式提供了良好的散热能力和机械稳定性，适合安装在各种电路板上。
该 MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其栅极驱动特性较为友好，能够与多种驱动电路兼容，降低了设计复杂性。此外，FQU2P25 在极端工作条件下仍能保持良好的可靠性，适用于工业控制、电源适配器、电池充电器和电机驱动等应用场景。
FQU2P25 常用于各类高功率和高频率的电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和导通特性，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为突出。
FQP2N25, IRF250, IRFZ44N, FQU13N25C
