FQU2P25 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能,使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):250V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):12A(连续)
导通电阻(RDS(on)):0.25Ω(典型值)
功耗(PD):83W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
FQU2P25 具备多项优良特性,适用于多种功率电子应用。其低导通电阻降低了导通损耗,提高了系统效率;高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行;此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下工作而不会显著降低性能。TO-220 封装形式提供了良好的散热能力和机械稳定性,适合安装在各种电路板上。
该 MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。其栅极驱动特性较为友好,能够与多种驱动电路兼容,降低了设计复杂性。此外,FQU2P25 在极端工作条件下仍能保持良好的可靠性,适用于工业控制、电源适配器、电池充电器和电机驱动等应用场景。
FQU2P25 常用于各类高功率和高频率的电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、UPS(不间断电源)、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和导通特性,该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为突出。
FQP2N25, IRF250, IRFZ44N, FQU13N25C