时间：2025/12/27 7:49:21
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UTT65P04是一款由优特半导体（UTTC, United Semiconductor Corporation）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，适用于负载开关、电池供电设备、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。UTT65P04封装在通用且紧凑的TO-252（D-PAK）或类似的表面贴装封装中，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的散热性能。其P沟道结构允许在高端开关配置中实现简化驱动电路设计，无需额外的电荷泵电路即可直接由逻辑电平控制，从而降低系统成本和复杂度。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，在工业控制、消费电子和便携式设备中具有广泛的应用前景。
UTT65P04的关键优势在于其优化的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM），这有助于减少开关损耗并提高整体能效。此外，它还具备较强的抗雪崩能力和过温保护特性，增强了系统的可靠性。数据手册通常建议在栅源电压（VGS）为-10V或-4.5V条件下使用，以确保稳定的工作性能。该MOSFET经过严格测试，能够在恶劣环境下保持稳定的电气参数，适合用于需要长期稳定运行的电源系统中。
型号：UTT65P04
类型：P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-40V
最大连续漏极电流（ID）：-65A（Tc=25℃）
最大脉冲漏极电流（IDM）：-200A
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大功耗（PD）：120W（Tc=25℃）
导通电阻RDS(on)：3.8mΩ @ VGS = -10V
导通电阻RDS(on)：4.5mΩ @ VGS = -4.5V
阈值电压（Vth）：-2.0V ~ -3.0V
输入电容（Ciss）：约4800pF @ VDS=20V
反向恢复时间（trr）：典型值70ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-252 (D-PAK)
