时间：2025/9/2 5:23:57
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H9TKNNN4KDMPQR-NDMR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度内存产品系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有较高的存储密度和较快的数据访问速度，适用于需要大量数据处理的现代电子设备。这款DRAM芯片广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统等领域。
类型：DRAM
容量：4 Gb（512 MB x 8）
电压：1.8V
接口：x8 SDRAM
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：134-ball FBGA
频率：166MHz / 200MHz
H9TKNNN4KDMPQR-NDMR 芯片采用了先进的CMOS工艺，具有低功耗和高可靠性的特点，能够在广泛的温度范围内稳定运行。其1.8V的工作电压设计有助于降低功耗并提高能效，适合于对功耗敏感的应用场景。
此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不依赖外部控制器的情况下保持数据完整性，减少系统功耗。其高速接口设计（最高支持200MHz频率）能够提供高达1600 Mbps的数据传输速率，满足高带宽需求。
封装方面，采用134-ball FBGA封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该芯片还支持多种工作模式，包括突发模式、预充电模式和低功耗模式，可根据系统需求灵活配置。
H9TKNNN4KDMPQR-NDMR 主要用于智能手机、平板电脑、数字电视、机顶盒等消费类电子产品中，作为主内存或图形内存使用。此外，该芯片也广泛应用于工业控制设备、网络路由器、交换机、视频监控系统以及汽车电子系统等对内存性能要求较高的场景。
由于其低功耗和高性能的特性，H9TKNNN4KDMPQR-NDMR 也适用于电池供电设备，如便携式医疗设备、智能穿戴设备和物联网（IoT）设备等，能够在保证性能的同时延长设备的续航时间。
H9TPNNL8GDMPQR-NDMR, H9TNNN88AMMPBR-NDMR, H9TNNN88GMMPBR-NDMR
