时间：2025/9/2 2:46:58
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H9TKNNN6CDMPRR-NDMR是一款由SK Hynix公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）系列。这款芯片专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器和高端网络设备设计，旨在提供极高的数据传输速率和能效。H9TKNNN6CDMPRR-NDMR采用了先进的堆叠式封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV, Through-Silicon Via）实现芯片间的高速互连，从而显著提高了内存带宽并减少了功耗。该芯片的容量为8GB，支持高达2.4Gbps的数据速率，适用于需要大量数据并行处理的应用场景。
容量：8GB
数据速率：2.4Gbps
封装类型：堆叠式FBGA
电源电压：1.2V
工作温度：0°C至95°C
接口类型：HBM2
带宽：约307GB/s
TSV数量：1024
封装尺寸：约5.5mm x 12mm x 1.2mm
H9TKNNN6CDMPRR-NDMR的主要特性包括极高的内存带宽、低功耗设计、紧凑的封装尺寸以及出色的热管理性能。其堆叠式结构使得多个DRAM层可以通过一个共享的逻辑层进行控制，从而简化了系统设计并提高了数据传输效率。此外，该芯片支持高级错误检测和纠正功能，确保数据的完整性和可靠性。其低电压设计不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，适合在高密度计算环境中使用。H9TKNNN6CDMPRR-NDMR还具备良好的兼容性，能够与多种高端GPU和AI加速器无缝集成。
该芯片的另一大亮点是其优异的信号完整性和稳定性。通过优化的TSV互连技术和改进的封装设计，H9TKNNN6CDMPRR-NDMR能够在高频操作下保持稳定的信号传输，减少噪声干扰并提高数据传输的准确性。此外，其先进的热管理技术确保了在长时间高负载运行下的稳定性和可靠性，适用于严苛的工业和数据中心环境。
H9TKNNN6CDMPRR-NDMR还支持多种电源管理模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，以进一步降低功耗并延长设备的运行时间。这种灵活性使得该芯片能够适应不同的应用场景，从高性能计算到低功耗嵌入式系统均有良好的表现。
H9TKNNN6CDMPRR-NDMR广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理单元（GPU）、数据中心服务器、高端网络设备以及需要大量并行数据处理的嵌入式系统。其高带宽和低延迟特性使其特别适合深度学习、大规模数据分析、实时渲染和虚拟现实（VR）等对性能要求极高的应用场景。此外，该芯片还可用于工业自动化、医疗成像和航空航天等领域的高性能计算设备中，提供可靠的数据存储和处理能力。
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