时间：2025/7/8 19:42:39
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MA0402CG121G500 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关和高能效应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于工业、通信和消费电子领域中的电源管理解决方案。
MA0402CG121G500 的主要特点是其卓越的热性能和可靠性，使其能够在高温环境下长期稳定工作。此外，该器件通过优化栅极驱动设计，进一步降低了开关损耗，提高了整体效率。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode GaN FET)
导通电阻：12 mΩ（典型值）
击穿电压：650 V（最小值）
连续漏极电流：40 A（最大值）
栅极电荷：85 nC（典型值）
反向传输电容：10 pF（典型值）
工作温度范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
封装形式：TO-247-4L
1. 采用氮化镓材料，具备超高频率开关能力，适合高频应用。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，确保使用安全。
4. 高击穿电压和大电流处理能力，能够承受严苛的工作条件。
5. 小巧的封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
6. 出色的热性能，减少对外部散热器的需求，从而降低成本和体积。
7. 稳定的工作特性和长寿命，适用于需要高可靠性的场景。
1. 开关模式电源 (SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
2. 无线充电设备中的功率传输模块。
3. 数据中心和服务器的高效电源转换系统。
4. 电动汽车 (EV) 充电桩中的功率逆变器。
5. 工业电机驱动和可再生能源发电系统中的功率控制单元。
6. 高频D类音频放大器和其他高频电子设备。
MA0402CG121G300
MA0402CG121G600
GA121G500S
