类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 7.3mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：27nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP-8

KTC3875S-RTK 具备多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），在 VGS = 10V 时，典型值仅为 7.3mΩ，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　其次，KTC3875S-RTK 的最大漏极电流可达 30A，支持在高负载条件下稳定运行，并具备良好的抗过载能力。
　　其栅极电荷（Qg）为 27nC，使得在高频开关应用中具备较低的开关损耗，适用于开关电源、DC-DC 转换器等对效率和响应速度有要求的场合。
　　此外，该器件采用 SOP-8 封装，具有良好的热管理和散热性能，可在高密度 PCB 设计中实现紧凑布局，同时保持稳定的热特性。
　　KTC3875S-RTK 还具备宽工作温度范围（-55°C 至 150°C），确保在各种环境条件下都能可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　最后，其 ±20V 的栅极-源极电压耐受能力，增强了器件在高噪声环境下的抗干扰能力，防止因栅极电压异常而损坏。

KTC3875S-RTK 广泛应用于多个领域，尤其适用于对效率、稳定性和空间布局有较高要求的电子系统。
　　在电源管理系统中，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关电路，提供高效、低损耗的功率控制方案。
　　在计算机主板、笔记本电脑和服务器电源模块中，KTC3875S-RTK 被用于多相供电系统，确保 CPU 和 GPU 的稳定供电，同时提高能效。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS），如电动工具、无绳吸尘器和便携式储能设备，实现对电池充放电过程的高效控制。
　　此外，在汽车电子系统中，例如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换模块和车身控制系统中，KTC3875S-RTK 凭借其高可靠性和宽工作温度范围，能够胜任严苛的车载环境。
　　由于其优异的高频响应特性，也适用于 LED 照明驱动、电机控制和工业自动化设备中的功率开关应用。

SiSS8436BNT-T1-GE3, AO4406A, FDS4410A, IPB031N04NG4S, TPS2R200-Q1