容量：4GB
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　封装：BGA
　　电压：1.1V / 0.6V
　　数据速率：4266Mbps
　　工作温度：-40°C ~ 85°C
　　封装尺寸：13.5mm x 9.5mm x 1.0mm

H9TKNNN4GDMRHR-NDM 作为一款LPDDR4X内存模块，具备多项先进的性能和设计优势。
　　首先，该芯片采用了先进的低功耗设计，支持更低的电压运行（主电源1.1V和辅助电源0.6V），相比前代LPDDR4技术显著降低了功耗，延长了设备的电池续航时间。这使得它非常适合用于对功耗敏感的移动设备和嵌入式应用。
　　其次，该内存模块的数据传输速率高达4266Mbps，支持快速的数据存取，提高了系统的整体性能和响应速度。这种高速度得益于双倍数据速率（DDR）架构，可以在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现更高的带宽效率。
　　此外，该芯片采用了小型BGA（球栅阵列）封装，具有良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。封装尺寸仅为13.5mm x 9.5mm x 1.0mm，使得设备设计更加紧凑，适合现代轻薄电子产品的需求。
　　在工作温度方面，H9TKNNN4GDMRHR-NDM 支持宽温范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于工业级和消费级应用场景。
　　最后，该芯片还支持多种低功耗模式，包括自刷新、深度掉电模式等，进一步优化了能耗管理，提升了系统的能效表现。

H9TKNNN4GDMRHR-NDM 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统，例如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要大容量高速内存的物联网设备。由于其低功耗、高速度和紧凑封装的特点，该芯片也非常适用于需要长时间运行和高效能计算的工业自动化、车载电子和边缘计算设备。此外，该模块还可用于高性能图形处理设备、VR/AR设备及便携式游戏设备等对内存带宽要求较高的应用场景。

H9HKNNN8GBMRHBR-NEC, H9TP32A8JDACUR-NGC, H9TQML84GDACUR-NCM