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AOD4454 发布时间 时间:2025/5/22 17:55:51 查看 阅读:6

AOD4454是一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
  该MOSFET在设计上注重性能优化,能够在高频条件下保持较低的功耗,同时提供可靠的电气特性。

参数

型号:AOD4454
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  漏源极耐压(Vds):40V
  连续漏极电流(Id):10A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.2V~2.8V
  导通电阻(Rds(on)):6mΩ(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

AOD4454的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,确保高效率运行并减少发热。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 宽工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
  4. 栅极电荷小,驱动损耗低。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  这些特性使得AOD4454成为同步整流器、DC-DC转换器、负载开关等应用的理想选择。

应用

AOD4454适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动和逆变器控制。
  5. 各种便携式设备的电源4凭借其优异的性能,在上述应用中能够显著提高系统效率并降低能耗。

替代型号

AO3400
  IRLZ44N
  FQP17N06

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AOD4454参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds985pF @ 75V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252
  • 包装带卷 (TR)