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CBW160808U500T 发布时间 时间:2025/6/18 8:50:00 查看 阅读:4

CBW160808U500T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频率开关应用设计。该器件采用先进的制程工艺制造,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。CBW160808U500T 主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器等领域,其紧凑的设计和优异的性能使其成为众多电子系统中的理想选择。
  该芯片具有出色的热稳定性和抗电磁干扰能力,在高负载条件下依然能够保持稳定的性能表现。同时,CBW160808U500T 的封装形式经过优化,便于集成到各种复杂的电路板布局中。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

CBW160808U500T 具备以下显著特点:
  1. 低导通电阻(Rds(on))确保在大电流应用中有更高的效率,并减少发热。
  2. 快速开关特性有助于降低开关损耗,提高整体系统的效率。
  3. 高击穿电压保证了在高电压环境下的可靠运行。
  4. 极低的输入电容和输出电容减少了动态损耗。
  5. 内置 ESD 保护功能增强了芯片的抗静电能力。
  6. 工作温度范围广,适应多种恶劣环境条件。
  这些特性使得 CBW160808U500T 成为需要高效能、高速度和高可靠性的应用场合的理想选择。

应用

CBW160808U500T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 太阳能逆变器
  5. 汽车电子设备
  6. LED 照明驱动
  7. 工业自动化设备
  8. 通信电源模块
  凭借其卓越的性能和可靠性,CBW160808U500T 在这些领域中展现了强大的竞争力。

替代型号

IRF540N
  FDP5570
  STP55NF06L

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