容量：4GB
　　类型：NAND闪存
　　接口：ONFI 2.3（异步）
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最大50MB/s
　　写入速度：最大20MB/s
　　擦除速度：最大2ms（典型值）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：52-TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

H9TKNNN4GDMPLR-NDMR是一款高性能的NAND闪存芯片，其核心特性包括高存储容量、快速的数据读写能力以及较长的使用寿命。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据存储过程中自动检测并纠正错误，从而确保数据的完整性和可靠性。此外，该芯片支持坏块管理，能够在出厂时或使用过程中标记无法正常工作的存储块，以防止数据存储到这些区域，从而提高整体存储系统的稳定性。H9TKNNN4GDMPLR-NDMR还支持低功耗模式，可以在设备闲置时降低能耗，延长电池续航时间。其ONFI 2.3接口标准提供了广泛的兼容性，便于集成到各种嵌入式系统中。
　　在物理设计方面，H9TKNNN4GDMPLR-NDMR采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸，适用于空间受限的应用场景。同时，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境条件下稳定工作，适用于工业控制、车载系统和户外设备等应用场景。

H9TKNNN4GDMPLR-NDMR广泛应用于需要高可靠性和高性能存储的电子设备中，包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式媒体播放器、数码相机以及工业控制系统等。由于其支持宽温度范围和低功耗特性，该芯片也适用于车载电子系统、智能穿戴设备以及物联网（IoT）设备等场景。此外，该芯片还可用于固态硬盘（SSD）控制器的缓存存储，提升数据读写效率和系统响应速度。

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