时间：2025/5/15 11:53:38
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GMC04CG820J100NT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及射频功率放大等领域。该器件采用了先进的GaN-on-Si技术，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，能够显著提高系统效率并减小整体尺寸。
由于其卓越的性能表现，这款晶体管特别适合需要高效能和小型化的应用场景。同时，它还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较高温度下保持稳定的性能。
型号：GMC04CG820J100NT
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
封装形式：TO-263（DPAK）
额定电压：650V
额定电流：100A
导通电阻：40mΩ（典型值）
栅极电荷：30nC（最大值）
反向恢复时间：10ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高开关频率：由于GaN材料的独特性质，GMC04CG820J100NT支持高达数MHz的开关频率，远超传统硅基MOSFET。
2. 极低的导通电阻：该器件的导通电阻仅为40mΩ（典型值），从而降低了导通损耗，提升了整体效率。
3. 减少寄生效应：GaN技术有效减少了寄生电感和电容的影响，使器件在高频下的性能更为优越。
4. 热稳定性强：即使在高温环境下，也能保持优异的电气特性和可靠性。
5. 小型化设计：通过采用先进封装工艺，该器件实现了更紧凑的体积，非常适合空间受限的应用场景。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 电动车辆（EV）驱动电路
5. 太阳能逆变器
6. 工业电机控制
7. 射频功率放大器
8. 数据中心电源管理
9. 快速充电适配器
GMC04CG820J120NT
GMC04CG820J80NT
IXYS GXT100N65S3
Infineon IPW100R040K6A1L
