SENC23T12V2U 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关元件,广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及各类电力电子设备中。
该器件采用增强型 GaN FET 结构设计,具有极低的导通电阻和快速的开关速度,能够显著提高系统的功率密度和能效。此外,其封装形式紧凑,适合对空间要求较高的应用场合。
型号:SENC23T12V2U
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650 V
额定电流:15 A
导通电阻:12 mΩ(典型值)
栅极驱动电压:4.5 V ~ 6 V
最大工作结温:175 °C
封装形式:TO-263-3L
功耗:180 W(最大值)
SENC23T12V2U 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:支持高达 650 V 的工作电压,确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低导通电阻:仅为 12 mΩ,减少传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关性能:具备极短的开关时间,有效降低开关损耗。
4. 高热稳定性:能够在最高 175°C 的结温下正常工作,适用于高温环境。
5. 小型化设计:采用 TO-263-3L 封装,节省电路板空间,同时提供良好的散热性能。
6. 增强型 GaN 技术:相比传统硅基 MOSFET,具有更高的功率密度和更低的寄生电感。
SENC23T12V2U 主要用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):实现高效、紧凑的设计方案。
2. DC-DC 转换器:特别适用于需要高频工作的降压或升压转换器。
3. 电动工具:为无刷直流电机 (BLDC) 提供高效的驱动方案。
4. 新能源汽车:用于车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换模块。
5. 工业自动化设备:如伺服驱动器、逆变器等功率控制单元。
6. 充电器和适配器:支持快充技术,提升充电效率。
SENC23T15V2U, SENC23T12V3U