制造商：SK Hynix
　　类型：NAND闪存
　　容量：256GB
　　封装类型：BGA
　　接口：ONFI 4.0
　　工作温度范围：-25°C至+85°C
　　电压供应：2.5V至3.6V
　　擦写周期：3000次
　　数据保持时间：10年

H9TKNNN2GDMRFR-NDM NAND闪存芯片具有多项先进的技术特性，使其在现代电子设备中具有广泛的应用潜力。首先，其256GB的存储容量能够满足对高密度存储的需求，适用于需要大容量存储的嵌入式系统和SSD应用。该芯片采用了ONFI 4.0接口标准，支持高速数据传输，读写速度显著提升，满足现代设备对数据处理效率的要求。
　　其次，H9TKNNN2GDMRFR-NDM采用了先进的BGA（球栅阵列）封装技术，有助于减少芯片的体积并提高信号完整性，适用于空间受限的便携式设备。其工作温度范围为-25°C至+85°C，确保在不同环境条件下都能稳定运行，尤其适合工业级应用。
　　此外，该芯片的电源电压范围为2.5V至3.6V，允许灵活的电源设计，并有助于降低整体功耗。这对于电池供电设备来说尤为重要，可以延长设备的使用时间。H9TKNNN2GDMRFR-NDM还具有3000次的擦写周期，支持长期使用而不易出现磨损问题，同时数据保持时间长达10年，确保数据的长期可靠性。

H9TKNNN2GDMRFR-NDM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。首先，在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和数字相机，该芯片提供了高容量存储解决方案，能够存储大量的照片、视频和应用程序。其次，在固态硬盘（SSD）中，H9TKNNN2GDMRFR-NDM可用于构建高性能的存储模块，提高计算机的启动速度和数据访问效率。此外，该芯片也适用于工业自动化设备、车载系统和物联网（IoT）设备，这些设备通常需要在恶劣环境下长时间运行，并对存储的可靠性和耐久性有较高要求。H9TKNNN2GDMRFR-NDM的低功耗特性也使其成为可穿戴设备和便携式医疗设备的理想选择。

H9TNNN8GDMMRFR-NDM, H9TQNN8GDMMRFR-NDM