时间：2025/6/17 13:21:00
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RT1N430M是一种肖特基二极管，广泛应用于高频整流、开关电源和逆变器等电路中。该器件具有低正向压降、快速恢复时间以及较高的电流处理能力。其封装形式通常为TO-252，适合表面贴装技术（SMD）。
由于其优秀的电气性能和可靠性，RT1N430M在现代电子设备设计中得到了广泛应用，特别是在需要高效能量转换的场合。
最大正向电流：4A
峰值反向电压：40V
正向压降：0.46V（典型值，If=2A）
反向恢复时间：25ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
热阻：40°C/W
1. 肖特基二极管结构使其具有较低的正向压降，从而减少功率损耗并提高效率。
2. 快速反向恢复时间，适用于高频应用。
3. 具备良好的热稳定性和耐久性，在较高温度环境下仍能保持性能。
4. 表面贴装封装便于自动化生产和装配。
5. 高可靠性和长寿命，适用于各种工业级和消费级电子设备。
1. 开关电源中的整流和续流二极管。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 逆变器和电机驱动电路。
4. 保护电路中的箝位和隔离功能。
5. 通信设备、计算机电源和其他高频电子设备中的关键元件。
1N5822, MBR440T3G, SS44
