H9TKNNN1GDAP 时间：2025/9/1 22:15:47 阅读：21

H9TKNNN1GDAP 是一款由SK海力士（SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的制造工艺，具有较大的存储容量和较高的数据访问速度，适用于对性能和容量要求较高的设备，如智能手机、平板电脑、服务器以及高性能计算设备等。H9TKNNN1GDAP 是一种LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）DRAM芯片，具备低功耗、高带宽等优点，适用于移动设备和嵌入式系统。

参数

类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：1GB（具体容量根据产品规格可能有所不同）
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　接口：x16
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H9TKNNN1GDAP 采用了先进的LPDDR4技术，具有较低的电压要求（1.1V），从而有效降低功耗，延长移动设备的电池寿命。该芯片支持高数据速率（3200Mbps），能够满足高带宽应用的需求，例如高清视频播放、大型游戏和多任务处理。此外，H9TKNNN1GDAP 还具备较高的存储密度，可以在有限的物理空间内提供更大的内存容量，适用于空间受限的移动设备和嵌入式系统。该芯片的封装形式为FBGA（细间距球栅阵列封装），提供了良好的电气性能和热管理能力，确保在高负载下依然能够稳定运行。
　　该DRAM芯片还支持多种节能模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，进一步降低在待机状态下的功耗。同时，H9TKNNN1GDAP 具备较强的抗干扰能力和数据完整性保护机制，能够在复杂电磁环境下保持稳定的数据传输性能。其高可靠性和长寿命设计也使其适用于工业级和商业级应用环境。

应用

H9TKNNN1GDAP 主要应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备，包括高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备以及嵌入式计算系统。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也非常适合用于需要实时数据处理的场景，例如增强现实（AR）、虚拟现实（VR）设备和高性能移动计算平台。此外，在工业控制、车载信息系统和物联网（IoT）设备中，H9TKNNN1GDAP 同样可以发挥重要作用，提供高效稳定的内存支持。