H9TKNNN1GDAP 是一款由SK海力士(SK hynix)生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的制造工艺,具有较大的存储容量和较高的数据访问速度,适用于对性能和容量要求较高的设备,如智能手机、平板电脑、服务器以及高性能计算设备等。H9TKNNN1GDAP 是一种LPDDR4(低功耗双倍数据速率第4代)DRAM芯片,具备低功耗、高带宽等优点,适用于移动设备和嵌入式系统。
类型:LPDDR4 SDRAM
容量:1GB(具体容量根据产品规格可能有所不同)
数据速率:3200Mbps
电压:1.1V
封装类型:FBGA
接口:x16
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
H9TKNNN1GDAP 采用了先进的LPDDR4技术,具有较低的电压要求(1.1V),从而有效降低功耗,延长移动设备的电池寿命。该芯片支持高数据速率(3200Mbps),能够满足高带宽应用的需求,例如高清视频播放、大型游戏和多任务处理。此外,H9TKNNN1GDAP 还具备较高的存储密度,可以在有限的物理空间内提供更大的内存容量,适用于空间受限的移动设备和嵌入式系统。该芯片的封装形式为FBGA(细间距球栅阵列封装),提供了良好的电气性能和热管理能力,确保在高负载下依然能够稳定运行。
该DRAM芯片还支持多种节能模式,包括自刷新模式和深度掉电模式,进一步降低在待机状态下的功耗。同时,H9TKNNN1GDAP 具备较强的抗干扰能力和数据完整性保护机制,能够在复杂电磁环境下保持稳定的数据传输性能。其高可靠性和长寿命设计也使其适用于工业级和商业级应用环境。
H9TKNNN1GDAP 主要应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备,包括高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备以及嵌入式计算系统。由于其高带宽和低功耗特性,该芯片也非常适合用于需要实时数据处理的场景,例如增强现实(AR)、虚拟现实(VR)设备和高性能移动计算平台。此外,在工业控制、车载信息系统和物联网(IoT)设备中,H9TKNNN1GDAP 同样可以发挥重要作用,提供高效稳定的内存支持。
H9TPNNL8GDAC、H9TQNNN8GDAC、H9TQNNN1GCAC、H9TRNNN8GDAC