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IS46TR16128B-15HBLA2 发布时间 时间:2025/9/1 8:48:15 查看 阅读:8

IS46TR16128B-15HBLA2 是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM属于异步DRAM类别,具有较高的容量和性能,适用于需要临时数据存储和快速读写操作的应用场景。其设计旨在提供可靠的内存解决方案,适用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统等多种应用领域。

参数

类型:DRAM
  容量:2M x 16(共256K地址,每个地址16位)
  电压:3.3V
  访问时间:15ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  组织结构:x16

特性

IS46TR16128B-15HBLA2 提供了256K地址的存储容量,每个地址可存储16位数据,总容量达到2Mbit。这种存储结构使其非常适合需要高带宽和较大数据吞吐量的应用场景。其15ns的访问时间确保了较快的数据读写速度,适合对性能有一定要求的系统设计。
  该DRAM芯片采用3.3V电源供电,具有较低的功耗特性,适合对功耗敏感的应用。此外,其工业级的工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种环境条件下的稳定运行,增强了系统的可靠性和适应性。
  IS46TR16128B-15HBLA2 采用TSOP封装,54引脚的设计简化了PCB布局,并有助于减少空间占用,适合高密度的电路设计需求。该封装形式还具有较好的热稳定性和电气性能,提高了整体的系统可靠性。
  该芯片在设计上兼容标准的DRAM接口,使得其在系统集成过程中更加容易使用和替换。此外,其异步工作模式适用于不需要同步时钟信号的应用,提供了更高的灵活性。

应用

IS46TR16128B-15HBLA2 主要应用于需要较大内存容量和较快访问速度的嵌入式系统和工业控制设备。例如,它可以用于网络交换设备、通信模块、图形控制器、视频采集系统等需要临时存储大量数据的场合。此外,该芯片也适用于工业自动化设备、测试仪器和医疗电子设备等对可靠性和稳定性有较高要求的应用场景。

替代型号

IS46TR16128B-15HBLA2 的替代型号包括IS46TR16128B-15GBLA2和IS46TR16128B-15HBLI。这些型号在电气特性和封装形式上相似,可在不同工作温度或电压要求下提供类似的性能。

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IS46TR16128B-15HBLA2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)