时间：2025/9/2 6:33:08
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H9TA1GG51BMMVR-4DM 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于嵌入式系统、消费类电子产品以及高性能计算设备中。这款DRAM芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具有高可靠性、高性能和小尺寸设计，适合对空间要求较高的应用场景。
容量：1Gb（128MB）
架构：x16
电压：1.2V
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装类型：BGA
封装尺寸：9mm x 11mm
频率：最高支持800MHz（等效于1600Mbps）
工艺制程：约20nm以下
组织结构：1G x16
H9TA1GG51BMMVR-4DM 是一款低功耗DDR3 SDRAM（LPDDR3），专为移动设备和嵌入式系统设计，具有出色的性能和能效。其主要特性包括：支持低功耗自刷新模式（LPASR），以延长电池续航；具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，在高温环境下降低功耗；采用双倍数据速率（DDR）技术，实现高速数据传输；支持深度掉电模式（Deep Power Down Mode），在非工作状态下进一步降低能耗；芯片内置的模式寄存器可编程，便于灵活配置系统参数；此外，其BGA封装设计有助于提高散热性能和系统稳定性。
该芯片的高集成度和先进的制造工艺，使其在有限的空间内提供更大的内存容量。其1600Mbps的数据速率能够满足现代移动处理器和应用处理器对内存带宽的需求，从而提升系统响应速度和运行效率。此外，H9TA1GG51BMMVR-4DM 还支持自动预充电和突发长度可编程等特性，提升了数据访问效率和系统兼容性。
H9TA1GG51BMMVR-4DM 广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统以及其他对功耗和性能有较高要求的嵌入式系统中。该芯片的低功耗特性和高速性能使其成为高性能移动设备的理想内存解决方案。在工业控制、物联网设备、边缘计算设备等场景中也有广泛应用，能够满足对内存容量、能效和稳定性要求较高的系统设计需求。
H9TPML84M1ACVR-4DM, H9TC4G8QBMUMUR-4DM, H9TQ1G8UHCACUR-4DM
