类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　晶体管类型：N-Channel
　　最大漏极电流 (Id)：34A
　　最大漏源电压 (Vds)：800V
　　最大栅极电压 (Vgs)：±30V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.15Ω @ Vgs = 10V
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散 (Ptot)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

IXFX34N80 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有较低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件采用先进的平面技术，确保了器件在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。此外，IXFX34N80 的高栅极电压容忍度（±30V）使其在各种应用中具有更高的灵活性和抗干扰能力。
　　该 MOSFET 的快速开关特性使其非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、电源供应器和电机控制电路。其高耐压能力（800V）也使其适用于高压电源系统和工业设备中的功率控制。同时，该器件的热性能优异，能够在高温环境下保持稳定运行，进一步提高了系统的可靠性和寿命。
　　IXFX34N80 采用 TO-247 封装，便于散热和安装，适用于各种高功率应用。其低导通电阻和高耐压特性相结合，使其成为一款性能优异的功率器件，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

IXFX34N80 常用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中，包括工业控制设备、电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电焊机和感应加热设备等。由于其优异的电气性能和可靠性，该器件也广泛应用于新能源领域，如太阳能逆变器和风能发电系统中的功率控制模块。

IXFX34N80P, IXFN34N80, IRFGB40N80K