类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在VGS=4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：SO-8
　　功率耗散：2.5W

FDS6680AS-NL具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这使得它在高电流应用中能够最大限度地减少功率损耗并提高效率。该器件采用了先进的Trench沟槽技术，以优化导通损耗和开关损耗之间的平衡。
　　此外，FDS6680AS-NL具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在高电压或噪声环境中仍能稳定工作。该器件的热性能也经过优化，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提高可靠性和使用寿命。
　　由于其双N沟道MOSFET结构，FDS6680AS-NL非常适合用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器和电机控制等应用。每个MOSFET都可以独立控制，提供了更高的设计灵活性。
　　该器件的SO-8封装不仅节省空间，还简化了PCB布局，并支持自动贴片工艺，适合大批量生产。FDS6680AS-NL符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设计。

FDS6680AS-NL广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　在笔记本电脑、平板电脑等便携设备中，FDS6680AS-NL可用于电源路径管理和电池充放电控制。此外，它也适用于通信设备、服务器电源模块以及消费类电子产品中的高效能功率转换设计。
　　由于其高可靠性和紧凑的封装，FDS6680AS-NL也常用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和LED照明驱动电路中。

Si8418DB, FDS8858CZ, AO4406, NDS355AN, FDS6679AS