H9LA2GH1GJCM-CR46M 是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统及移动设备中。该芯片采用了先进的FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的集成度和稳定的性能。该型号属于LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)系列,适用于需要高速数据处理和低功耗的便携式电子设备。
容量:2GB(1G x 16bit)
类型:LPDDR4 SDRAM
封装:122-ball FBGA
电压:1.1V(VDD/VDDQ),1.8V(VDDCA)
数据速率:3200Mbps
工作温度:-40°C ~ +85°C
接口:JEDEC兼容接口
时钟频率:1600MHz
H9LA2GH1GJCM-CR46M 的核心特性包括其高速数据传输能力,最高可支持3200Mbps的数据速率,适用于高带宽需求的应用场景。该芯片采用了LPDDR4标准,显著降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。此外,其采用的FBGA封装技术提高了封装密度和散热性能,增强了设备的稳定性和可靠性。该芯片还支持温度补偿自刷新(Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR)功能,有助于在高温环境下保持数据完整性。H9LA2GH1GJCM-CR46M 还具备错误检测和纠正机制,确保数据传输的准确性。该芯片还具备多银行架构(Multi-Bank Architecture)和突发长度可编程功能,提高了内存的灵活性和效率。
H9LA2GH1GJCM-CR46M 主要应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、汽车电子系统、工业控制设备以及高性能嵌入式系统。由于其低功耗与高带宽的特性,它特别适合用于需要高效能与长续航能力的便携式电子产品。在智能手机领域,该芯片可作为主内存(RAM),支持多任务处理和流畅的用户界面体验。在汽车电子中,它可用于车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),确保系统的稳定运行。在工业控制方面,H9LA2GH1GJCM-CR46M 可用于实时数据处理和控制系统的缓存存储。
H9HP53A8AMR-NEC, H9HQ12ABPMMDAR, H9HM1GAMUMR-NEC, H9HK1GUMUMDAR