时间：2025/9/2 3:53:23
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H9LA2GH1GJCM-CR46M 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统及移动设备中。该芯片采用了先进的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的集成度和稳定的性能。该型号属于LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）系列，适用于需要高速数据处理和低功耗的便携式电子设备。
容量：2GB（1G x 16bit）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：122-ball FBGA
电压：1.1V（VDD/VDDQ），1.8V（VDDCA）
数据速率：3200Mbps
工作温度：-40°C ~ +85°C
接口：JEDEC兼容接口
时钟频率：1600MHz
H9LA2GH1GJCM-CR46M 的核心特性包括其高速数据传输能力，最高可支持3200Mbps的数据速率，适用于高带宽需求的应用场景。该芯片采用了LPDDR4标准，显著降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。此外，其采用的FBGA封装技术提高了封装密度和散热性能，增强了设备的稳定性和可靠性。该芯片还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，有助于在高温环境下保持数据完整性。H9LA2GH1GJCM-CR46M 还具备错误检测和纠正机制，确保数据传输的准确性。该芯片还具备多银行架构（Multi-Bank Architecture）和突发长度可编程功能，提高了内存的灵活性和效率。
H9LA2GH1GJCM-CR46M 主要应用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、汽车电子系统、工业控制设备以及高性能嵌入式系统。由于其低功耗与高带宽的特性，它特别适合用于需要高效能与长续航能力的便携式电子产品。在智能手机领域，该芯片可作为主内存（RAM），支持多任务处理和流畅的用户界面体验。在汽车电子中，它可用于车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），确保系统的稳定运行。在工业控制方面，H9LA2GH1GJCM-CR46M 可用于实时数据处理和控制系统的缓存存储。
H9HP53A8AMR-NEC, H9HQ12ABPMMDAR, H9HM1GAMUMR-NEC, H9HK1GUMUMDAR
