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BDE6A5.0 发布时间 时间:2025/5/28 17:50:16 查看 阅读:12

BDE6A5.0是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用中,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。这款器件采用TO-220封装形式,能够承受较高的电流和电压。其出色的性能使得它在高效率功率转换电路中有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:50A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:4mΩ
  总功耗:150W
  结温范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:TO-220

特性

BDE6A5.0具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为4mΩ,有助于降低功率损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达50A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,可以有效减少开关损耗并提高整体效率。
  4. 具备较强的热稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设计要求。
  6. TO-220封装形式便于安装与散热处理。

应用

该MOSFET适用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的高频开关器件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
  4. 负载切换及保护电路。
  5. 各种工业设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP50NF06
  FDP55N06L

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