时间：2025/9/1 23:17:15
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H9LA1GG25HAM是现代（Hynix）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片，常用于大容量数据存储设备中。该芯片属于1Gbit（128MB）容量级别的NAND闪存，采用先进的制造工艺和小型封装，适用于嵌入式系统、SSD（固态硬盘）、便携式设备等多种应用场景。H9LA1GG25HAM支持高速读写操作，并具备良好的耐用性和数据保持能力。
容量：1Gbit
存储类型：NAND Flash
电压：2.7V - 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：48
接口：NAND接口
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9LA1GG25HAM是一款专为高性能存储应用设计的NAND闪存芯片，其核心特性包括高速数据读写能力、低功耗设计以及高可靠性。该芯片采用TOSHOP封装技术，确保在有限空间内的高效散热和稳定性，适用于多种嵌入式系统和便携设备。
在性能方面，H9LA1GG25HAM支持快速页读取和写入操作，其接口兼容标准的NAND闪存控制器，使得系统集成变得更加简单。该芯片的读取速度和写入速度均表现出色，适用于需要频繁访问和大容量数据存储的应用场景，如固态硬盘（SSD）、工业计算机、移动设备和消费类电子产品。
可靠性方面，H9LA1GG25HAM具备良好的耐久性和数据保持能力，能够在各种环境条件下稳定运行。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级应用。此外，该芯片支持ECC（错误校正码）功能，有助于提高数据完整性和存储可靠性。
低功耗设计也是H9LA1GG25HAM的一大亮点，适合对能耗敏感的设备使用。在待机模式下，其功耗极低，有助于延长设备的电池寿命。
H9LA1GG25HAM广泛应用于各种需要大容量非易失性存储的设备中，包括嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、工业控制设备、车载电子系统、手持设备（如智能手机和平板电脑）、数码相机和多媒体播放器等。该芯片的高性能和高可靠性使其成为对数据存储要求较高的工业和消费类电子产品中的理想选择。此外，H9LA1GG25HAM也适用于需要长时间运行和频繁数据读写的应用场景，如监控设备、数据采集系统和智能卡终端。
K9F1G08U0D, MT29F1G08ABBEAH4
