晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

LMUN5135T1G的主要特性之一是其集成的双NPN晶体管设计，这使得它在多种电路拓扑中具有高度的灵活性和实用性。这两个晶体管在电气特性上是匹配的，适合需要对称性能的应用场景。例如，在差分放大器中，这对晶体管可以提供良好的共模抑制比（CMRR）和温度稳定性。此外，该器件的高频率响应（fT为100MHz）使其适用于高频放大器和射频（RF）电路。LMUN5135T1G的增益（hFE）范围较宽，可以根据不同的偏置条件提供从110到800的不同增益值，这使得它能够适应多种放大需求。该器件的低功耗设计（最大功耗为300mW）使其非常适合用于电池供电设备和低功耗系统。此外，SOT-23封装提供了良好的热性能和空间效率，使得该器件可以在紧凑的PCB布局中使用。
　　LMUN5135T1G的另一个重要特性是其高电压耐受能力（Vceo为50V），这使得它可以在中等电压应用中使用，例如电源开关和电压调节电路。此外，该器件的集电极电流能力为100mA，足以驱动许多常见的负载，如LED、继电器和小型电机。由于其高可靠性和稳定性，LMUN5135T1G在工业和消费类电子设备中被广泛采用。

LMUN5135T1G的应用范围非常广泛，涵盖了多个电子工程领域。首先，它常用于音频放大器和射频放大器设计中，特别是在需要双晶体管配置的电路中，例如差分放大器和推挽放大器。这些应用得益于其高频率响应和匹配的晶体管特性。其次，该器件也常用于数字电路中的逻辑门和开关应用，例如在TTL或CMOS兼容电路中作为驱动晶体管使用。此外，LMUN5135T1G还适用于电源管理电路，如DC-DC转换器和稳压器，其中两个晶体管可以用于构建推挽式或H桥式拓扑。在消费类电子产品中，该器件可用于控制LED背光、马达驱动或传感器接口电路。工业自动化系统中，它可以用于控制继电器、执行器和小型电机。由于其封装小巧和低功耗特性，LMUN5135T1G也广泛应用于便携式设备和物联网（IoT）设备中。

BC847BDSXK, LMUN5134T1G