类型：NAND闪存
　　容量：256GB
　　封装：BGA
　　接口：ONFI 3.0
　　电压：3.3V
　　工作温度：0°C至85°C
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高30MB/s
　　ECC支持：内建ECC支持

H9HP27ABKMMDAR-KMM NAND闪存芯片具备多项先进的特性，以满足高性能和高可靠性的需求。首先，该芯片支持ONFI 3.0标准接口，提供了高速数据传输能力，读取速度最高可达50MB/s，写入速度最高可达30MB/s，显著提升了存储性能。其次，其内建的ECC（错误校正码）功能可以在不依赖外部控制器的情况下自动检测和纠正数据错误，从而提高了数据存储的可靠性。
　　此外，H9HP27ABKMMDAR-KMM采用低功耗设计，适用于对电池寿命敏感的便携式设备。其工作温度范围为0°C至85°C，能够在多种环境条件下稳定运行。封装方面，该芯片使用小型化的BGA封装，节省了PCB空间，适合在紧凑型设备中使用。最后，这款芯片支持多种数据保护功能，包括写保护和掉电保护，进一步增强了数据的安全性和完整性。

H9HP27ABKMMDAR-KMM NAND闪存芯片广泛应用于需要大容量存储和高性能数据访问的电子设备中。其典型应用包括智能手机和平板电脑等移动设备，作为主存储介质用于存储操作系统、应用程序和用户数据。此外，该芯片也适用于嵌入式系统，如工业控制设备、车载导航系统和医疗设备，提供稳定可靠的数据存储解决方案。
　　在消费类电子产品方面，H9HP27ABKMMDAR-KMM可用于数字电视、机顶盒和智能穿戴设备，满足多媒体内容的存储需求。同时，该芯片也适合用于固态硬盘（SSD）模块，为存储扩展提供高性价比的解决方案。由于其低功耗和高可靠性，H9HP27ABKMMDAR-KMM还常用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备，支持长时间运行和数据记录。

H9HQ28AEBMMDCSR-KMM, H9HP53A2JDBMAR-KMM