BTT6050-1ERA 时间：2025/5/10 17:28:21 阅读：13

BTT6050-1ERA 是一款高性能的 N 沟道逻辑增强型场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有极低的导通电阻以及优秀的开关性能，适用于高频开关电路、电源管理模块以及各种功率转换应用。
　　BTT6050-1ERA 的封装形式为 TO-252（DPAK），这种封装提供了良好的散热性能和电气特性，使其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。此外，该器件还具有较高的雪崩击穿能力和较低的栅极电荷，从而提高了系统的可靠性和效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：38A
　　导通电阻：4mΩ
　　栅极电荷：9nC
　　总电容：135pF
　　开关时间：典型值 15ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率传输，同时减少了发热。
　　2. 高电流处理能力（高达 38A）使得 BTT6050-1ERA 能够胜任大功率应用。
　　3. 快速的开关速度降低了开关损耗，适合高频操作。
　　4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持正常工作。
　　5. 封装设计紧凑且易于焊接，便于 PCB 布局优化。
　　6. 较低的栅极电荷有助于减少驱动器功耗，提高整体系统效率。

应用

BTT6050-1ERA 广泛应用于各种需要高效功率控制的领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
　　3. LED 照明系统的恒流驱动。
　　4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　6. 数据通信设备中的电源管理单元。