时间：2025/5/9 18:20:28
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2N7002ET1G 是一款 N 沱道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它被广泛用于模拟和数字电路中，作为开关或放大器件。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高开关速度和良好的温度稳定性等特性，适用于多种应用场合。
该器件的工作电压范围宽，能够承受较高的漏源电压，同时具备较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。由于其出色的性能和可靠性，2N7002ET1G 成为许多工程师在设计低压、小信号应用场景时的首选元器件。
类型：N 沱道增强型 MOSFET
漏源电压 (VDS)：60 V
栅源电压 (VGS)：±20 V
漏极电流 (ID)：300 mA
输入电容 (Ciss)：45 pF
输出电容 (Coss)：10 pF
反向传输电容 (Crss)：1.8 pF
导通电阻 (Rds(on))：2.9 Ω
功耗 (Ptot)：400 mW
2N7002ET1G 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻，确保在导通状态下具有较低的功率损耗。
2. 高开关速度，非常适合高频应用。
3. 小型封装，适合空间受限的设计环境。
4. 较高的漏源击穿电压，增强了器件在高压环境中的适应能力。
5. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +150°C)，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 良好的静电防护能力，降低了因 ESD 导致的失效风险。
这些特点使 2N7002ET1G 在各种电子设备中表现出色，特别是在需要高效能与可靠性的场景下。
2N7002ET1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流开关。
2. 电池保护电路，用于防止过充或过放。
3. 消费类电子产品中的负载开关控制。
4. 信号切换和缓冲电路，例如音频信号处理。
5. 数据通信设备中的线路驱动和接收。
6. 电机驱动电路中的开关元件。
由于其多功能性和高性能，2N7002ET1G 可以满足从简单到复杂的不同应用需求。
2N7002KM, BSS138, PMV40EN
