存储容量：16GB
　　存储类型：MLC NAND Flash
　　封装类型：BGA
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　接口类型：ONFI 2.3
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H9HP19ABKMMDAR-KMM NAND闪存芯片具备多项先进特性，以满足高性能存储需求。该芯片采用ONFI 2.3接口标准，确保了与主机控制器的高效通信，并支持快速的数据传输。其MLC架构提供了比传统SLC NAND更高的存储密度，同时在耐用性和数据保留方面表现优异，适合中高端存储应用。
　　该芯片支持ECC（错误校正码）功能，可自动检测和纠正数据错误，从而提高数据的可靠性。此外，它还具备坏块管理功能，能够在制造过程中识别并标记不可靠的存储块，防止这些区域被用于数据存储。
　　H9HP19ABKMMDAR-KMM 支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用时间。其工作温度范围宽广，从-40°C到+85°C，可在各种工业环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费级产品。
　　该芯片采用小型BGA封装，节省空间，适合紧凑型设备的设计。同时，其高集成度和成熟制造工艺确保了产品的一致性和稳定性。

H9HP19ABKMMDAR-KMM 主要应用于需要高可靠性和大容量存储的嵌入式系统和消费电子产品。典型应用包括智能手机、平板电脑、数字相机、便携式媒体播放器、USB闪存盘和固态硬盘（SSD）。由于其宽温工作范围和高耐用性，该芯片也常用于工业控制设备、车载电子系统和物联网（IoT）设备等对环境适应性和稳定性要求较高的场合。

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